発生日は資料に記載されていない。中国が世界のタングステン鉱生産の約80～85％を占め、2025年に輸出規制などを強化する中、半導体大手が3D NANDの金属ゲート電極に使う材料をタングステンからモリブデンへ転換する動きが出ている。
SKハイニックスは、次世代の375層3D NANDの一部金属ゲート電極で、タングステンからモリブデンへの転換を予定している。モリブデンは低抵抗特性を持ち、3D NANDの積層高度化に対応する材料として位置付けられている。
この材料転換に関連し、NAND向け成膜装置市場は拡大が見込まれている。一方、中国はモリブデンでも主要生産国であり、代替材料への転換後も中国の鉱物供給が関係する。韓国では新たなモリブデン鉱床が確認されている。
